去年10月，美国商务部对中国进口18纳米及以下工艺的设备实施半导体限制。根据TrendForce的最新研究，尽管SK hynix的无锡工厂获得了为期一年的生产许可，但地缘政治风险和需求疲软仍然造成该公司在第二季度每月减少约30%的晶圆生产。
TrendForce报告称，SK hynix曾计划将其无锡工厂的主流工艺从1Y nm过渡到1Z nm，减少传统工艺的产出。然而，由于美国禁令的限制，该公司转而选择增加其21纳米生产线的份额，专注于DDR3和DDR4 4Gb产品。SK hynix的长期战略包括将其产能扩张转移回韩国，而无锡工厂则满足中国国内需求和传统工艺的消费类DRAM市场。
DDR3和DDR4 4Gb芯片在SK hynix的整体消费类DRAM出货量中占不到30%。然而，该公司正在扩展其传统生产线，这意味着低密度消费类DRAM的供应将逐渐增加。对台湾供应链的分析显示，南亚、华邦和PSMC（协助IC设计公司生产DRAM）都供应DDR3 4Gb；只有南亚提供大规模出货的DDR4 4Gb。三家主要供应商和南亚的DDR3 4Gb的工艺节点约为20纳米。三星目前同时为DDR4 4Gb提供20纳米和1X纳米的工艺节点，并计划在2023年下半年过渡到1Z纳米，在工艺结构上处于领先地位。然而，美光不提供这种特定的芯片密度，而SK hynix和南亚都在20纳米左右。总的来说，其他台湾制造商主要专注于DDR3产品，他们的产品节点仍在25纳米。尽管华邦和PSMC正在开发20纳米工艺，但在大规模生产方面，它们仍然落后于其竞争对手。
由于早期电视库存的消化，需求略有回升，导致SoC订单小幅增加，但市场仍然面临挑战。汽车需求相对稳定，但市场规模仍然有限，网络通信行业对芯片需求的能见度仍然很低。
TrendForce断言，尽管DRAM供应商已经削减了消费类DRAM的产量，但考虑到库存水平，目前的供应和去化状况仍倾向于供过于求。因此，23年第二季度的平均价格应该会下降10-15%。从长远来看，无锡工厂的产量增加可能会给供应商带来额外的压力，使消费类DRAM价格更加难反弹。
