近日,中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新,研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片,首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。
SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强,在热、化学、机械方面的性质都非常稳定,SiC是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表,在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势,可满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求,主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件,下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等。
海通国际证券表示,国内企业方面,三安光电是国内首家实现SiC垂直产业链布局的公司,具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力,产能目前处于爬坡阶段,公司预计25年配套年产能达36万片;天岳先进专注于碳化硅衬底,现年产能6.7万片,以4-6英寸半绝缘型为主。
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