2021年3月，科技部正式复函支持苏州市建设国家生物药技术创新中心、国家第三代半导体技术创新中心、国家新一代人工智能创新发展试验区（以下简称“一区两中心”）。
同年4月，苏州市“一区两中心”建设推进大会召开，会上发布了“一区两中心”若干意见及有关产业政策，作为主要实施地的苏州工业园区提出了相关建设愿景。“一区两中心”揭牌启动。
国家第三代半导体技术创新中心（以下简称“国创中心”）获批建设两年以来，瞄准国家和产业发展全局的创新需求，以关键技术研发为核心使命，进一步推动我国第三代半导体产业发展，形成立足长三角、辐射全国的技术融合点和产业创新的辐射源。
截至目前，园区已集聚相关企业超1100家，相关产业规模超1400亿元，在积极服务国家战略的同时，为提升园区第三代半导体产业创新能力提供了关键支撑。
加强基础研究，攻坚核心技术
国创中心聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向，重点突破材料、器件、工艺和装备技术瓶颈，实现在电力电子、微波射频和光电子领域的应用突破，增强我国第三代半导体产业的创新能力和主导力。
目前，国创中心承担省级以上重大研发项目7项，组织“揭榜挂帅”项目3个，在大尺寸氮化镓材料制备等领域取得重大突破，形成了以“设备辅材-衬底外延-器件”为核心、以“下游应用”为支撑的完整产业链，并在国际上率先突破了6英寸单晶衬底等一批前沿技术。
重大项目的申报、“揭榜挂帅”的实施，强化突出企业创新主体地位，形成了以企业为主体、市场为导向、产学研用深度融合的技术创新体系，营造了科研攻关能者上的创新生态。目前，国创中心已培育支撑苏州纳维、晶湛半导体、汉骅半导体、度亘激光、芯三代半导体等代表性企业，着力从创新源头发力，培育产业发展新动能。
完善科研平台，建强创新载体
面向关键技术攻关方向，国创中心打造了一批具有公共属性的、覆盖全产业链的、开放的科研平台，畅通创新生态链，促进第三代半导体整体科技水平提升。
▶2022年1月，国创中心研发与产业化基地开工，这是园区打造第三代半导体创新高地、产业集群的重大基础设施，将有力支撑第三代半导体关键技术攻关和科技成果转化。
▶2022年6月，面向关键技术攻关方向，国创中心新启动氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心联合研发中心、硅基氮化镓材料联合研发中心等8家联合研发中心。同时，国创中心首支规模3亿元基金-苏州荷塘创芯基金同期签约成立，专门用于国创中心项目孵化。
▶2022年11月，国创中心与中国电科产业基础研究院合作共建的三微电子总部大楼落成开业，将打造国际一流的第三代半导体研发中心、先进微系统组装中心、高端芯片研发和产业化高地。
▶2022年12月，国创中心材料生长创新平台和器件工艺平台完工，建成全链条研发支撑平台，突破材料创新关键共性技术和工艺关键环节，实现装备、技术、人才的源头供给。
目前，国创中心与全国知名高校、院所、企业设立17个联合研发中心，建立了比肩国际一流科研机构的公共服务平台，以关键技术研发为核心使命，产学研协同推动科技成果转移转化与产业化，为区域产业发展提供源头技术供给。
此外，国创中心成立长三角第三代半导体产业技术创新联盟等开放合作平台，充分调动各类创新主体的积极性，形成国家第三代半导体知识产权、人才培养以及信息交流的共享创新网络，形成跨区域、跨行业、跨学科、跨领域的技术创新能力。
打造人才高地，锻造硬核力量
国创中心以高起点、高标准建设结构合理的高层次创新创业人才团队，形成一支年龄结构合理、学历层次高、专业覆盖面广、技术力量雄厚、产学研联系紧密的科研队伍。
国创中心组建了由中国科学院院士郝跃等10位院士领衔的技术专家委员会，汇聚了国内外技术前沿的一流科学家、学科领军人才和科研团队，梳理产业长远发展必须解决的技术难题，组织上下游团队协力攻关。
目前，国创中心已吸引30余位国内外高层次领军人才创新创业，形成规模300人的核心科研团队。
拉开集群大幕，坚持自立自强
当前，国创中心围绕国家战略需求和国际产业竞争焦点，瞄准产业前沿引领技术和关键共性技术研发和应用，着力打造一流的第三代半导体产业发展生态。
下一步，国创中心将持续以关键共性技术攻关为核心使命，强化政策引领和机制体制创新，夯实产业发展基础，支持创新主体引培、公共技术服务平台建设、高端人才引育等，营造更优质产业创新生态，全面推进科技自立自强，加快我国第三代半导体产业创新能力整体跃升。
来源：SIP科技领军
